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2010年1月13日-14日 苏州·苏苑饭店
主办单位：中国有色金属学会
承办单位：中国科学院半导体研究所
国家半导体照明工程研发及产业联盟
苏州市吴中区人民政府
苏州吴中经济开发区管理委员会
顾问委员会（按姓氏笔画排序）
王占国 王启明 牛憨笨 甘子钊 李晋闽 刘颂豪 孙祥祯
吴 玲 汤子康 沈家聪 陈良惠 郑有炓 金亿鑫 闵乃本
陆大成 杨树人 段树坤 秦国刚 高鸿楷 徐叙瑢 蒋民华
组织委员会（按姓氏笔画排序）
主 任：王国宏 阮 军
委 员：王 钢 王向武 王晓亮 申德振 叶志镇 江风益 刘纪美
刘 胜 杨 辉 陈文浚 杜国同 宋炳文 吴向方 张国义
张 荣 李 刚 董志江 沈光地 范玉钵 罗 毅 孟广耀
赵 毅 范广涵 梅 霆 周均铭 徐现刚 曾一平 沈 波
会议背景
MOCVD技术自二十世纪六十年代首先提出以来，取得了多项进展，特别是解决了高难的生长技术与量大面广所要求的低廉价格之间的尖锐矛盾。目前已经在氮化镓、砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用，对微波器件和光电器件的研制产生巨大的影响，也将成为超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及器件方面突破性研究的关键技术，MOCVD技术的发展将会给微电子技术和光电子技术带来更为广阔的前景。
尽管我国研发MOCVD设备的产品化、商业化结果还不理想，MOCVD技术水平与国际差距很大，但不少单位正在把工艺与设备紧密结合，努力解决可靠性和精度等一系列问题，并已经有了自主创新的技术。MOCVD至今仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，相信中国的从业人员一定会做出积极的贡献！
会议宗旨
交流金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术领域研发的新理论、新进展，及其在材料应用领域的新动态、新成果；探讨目前存在的问题和今后的主要发展方向；进一步加快我国MOCVD技术创新及该技术的推广应用。
参会对象
1.MOCVD设备及其配套部件的研发、设计、制造和经营人员；
2.MOCVD工艺控制及相关材料的研发、制造和经营人员；
3.从事MOCVD加工技术的专家、学者、技术人员、管理人员和学生等。
日程安排
1月12日 报到
1月13日 大会开幕式和特邀报告
1月14日 专题交流与研讨
1月15日 参观
会议征文
1. 征文内容
1) 设备的研制与开发
2) MO源、衬底等基础材料
3) III-V族化合物材料的生长和制备
4) 生长机理和动力学研究
5) II-VI族及其化合物材料生长和制备
6) 其他相关技术
2. 征文要求
1) 符合上述议题且未在国内外学术刊物或会议上发表过的论文；
2) 论文主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位；
3) 请以WORD文档形式，于2009年11月30日前通过电子邮件方式提交给组委会秘书组（mocvd2009@semi.ac.cn），中英文稿件皆可。
4) 所有论文将编入会议文集，优秀论文将推荐到相关期刊上发表。
重要日期
1.论文信息表及论文提交截止：2009年11月30日
2.参会注册优惠截止：2009年12月15日
3.论文录用通知：2009年12月下旬
收费标准
参会代表注册费包含进入报告厅、获取会议资料、享用会议期间午/晚餐、参会代表名录等。
参会费用: 800.00 2009年12月15日前注册交费；
900.00 2009年12月15日后注册交费
600.00 学生参会（需提交相关证件）。
产品展示：1000.00 2009年12月15日前注册交费
注：1.要求产品展示的企业需在2009年12月15日前报名及提交相关资料，并支付相应费用。2. 联盟成员单位照例享受相应优惠政策（需提前注册）。
赞助广告
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参会报名
您可以选择以下两种方式报名：
1. 网上注册（http://mocvd.china-led.net）
2. 电子邮件方式
①网上（http://mocvd.china-led.net）下载参会回执表，填妥后E-mail至组委会会务组（liuh@china-led.net）；②报名单位汇款；③组委会会务组确认汇款后，寄出参会确认书。
组委会联系方式
秘书组（论文征集）：中国科学院半导体研究所
联系人：赵丽霞 冉 平
会务组（参会组织）：国家半导体照明工程研发及产业联盟
联系人：刘 辉 王薇薇 李辉
电 话：86-10-51727119 / 51727115 / 51626477-127
传 真：86-10-82512803
邮 箱：liuh@china-led.net
wangww@china-led.net
lih@china-led.net
网 址：http://mocvd.china-led.net
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